台积电在本周的财报电话会议上披露，其 A14（1.4 纳米级）制程在近三个月内取得了显著进展，其成熟速度远超 N2 制程达到同等阶段时的表现。

公司首席执行官魏哲家指出，智能手机、人工智能及高性能计算领域的客户对 A14 技术表现出浓厚兴趣，并已积极着手相关设计工作。他表示，A14 技术开发正按部就班地进行，内部类产品测试载具的器件性能已接近目标值的 90%，256Mb SRAM 的良率也逼近 90%。

A14 制程预计于 2028 年下半年投入大规模生产。在过去几个月里，其性能和良率均有大幅提升。今年 4 月，A14 已实现超过 85% 的目标晶体管性能，256Mb SRAM 良率也超过 80%。仅三个月后，这两项关键指标均已接近 90%，器件性能提升了约 5 个百分点，SRAM 良率则增长了近 10 个百分点。

作为对比，N2 制程在同一开发阶段的进展相对缓慢。2023 年 4 月，N2 的目标器件性能超过 80%，但 256Mb SRAM 测试芯片的良率仅略高于 50%。直到 2024 年 4 月，N2 才达到超过 90% 的目标器件性能和超过 80% 的 SRAM 良率。尽管不同制程的开发进度不宜直接比较，但现有数据显示 A14 的成熟速度明显快于 N2。

这种差异可能源于台积电在全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术上的经验积累。N2 是台积电首次采用 GAA 纳米片晶体管的制程，在 2023 年开发时，公司在生产经验方面尚显不足。而 A14 则采用了第二代 GAA 器件，能够充分利用 N2 开发和扩大产能过程中所积累的晶体管设计、制程优化及制造经验。

据了解，台积电已在 A14 和 N2 中解决了大量良率问题。然而，256Mb SRAM 获得较高良率，仅能证明高度重复的测试结构具有较低的缺陷密度和良好的制程均匀性，这并不直接等同于商用处理器也能达到相同的功用良率和参数良率。

A14 距离预计量产时间仍有约两年半，但其器件性能和 256Mb SRAM 良率均已接近 90%，整体进展远超同期 N2 制程。如果客户能够及时完成设计，台积电有可能提前启动 A14 的大规模生产，并在量产初期实现高于常规水平的功用良率和参数良率。

魏哲家表示，客户正在加速 A14 芯片的设计进程，力求提前完成流片，这释放出积极信号。他再次强调，智能手机、AI 和高性能计算领域的客户均表现出强烈兴趣并积极参与开发，客户的新设计流片工作正在推进且进度快于预期。

A14 制程整合了台积电的第二代 GAA 纳米片晶体管和全新的标准单元架构，旨在同时提升性能、能效和晶体管密度。与 N2 相比，在功耗和晶体管数量相同的情况下，A14 的性能预计将提升 10% 至 15%；在运行频率和设计复杂度相同的情况下，功耗预计将降低 25% 至 30%。预计混合设计的晶体管密度将提高约 20%，而逻辑设计的密度则可提升 23%。